Японские исследователи представили принципиально новый тип магнитной памяти, основанный на квантовых эффектах. По их данным, она работает примерно в 25 раз быстрее DRAM, практически не нагревается и почти не подвержена износу.
Разработка выполнена учёными Токийского университета совместно с центром RIKEN CEMS. В отличие от традиционных решений, переключение состояний здесь происходит не за счёт потока электронов (тока), а через перенос спин-орбитального момента. Это позволяет резко снизить энергопотребление и тепловыделение.
Подобные принципы уже применяются в MRAM и STT-MRAM, однако в новой работе использованы материалы, функционирующие на уровне квантов энергии. Это почти устраняет рассеяние тепла, вызванное столкновениями электронов в кристаллической решётке — одной из ключевых проблем современной микроэлектроники.
Ключевым материалом стал антиферромагнетик Mn₃Sn (станнид тримарганца). Его структура — так называемая «кагоме»-решётка, где магнитные моменты атомов ориентированы под углом 120°. Несмотря на почти нулевую суммарную намагниченность, материал проявляет сильный аномальный эффект Холла и эффективно реагирует на спин-орбитальные воздействия, не требуя больших токов.
Прототип элемента переключается за ~40 пикосекунд — это на порядок быстрее современных SRAM и DRAM. При этом короткие импульсы практически исключают нагрев, что критично для дата-центров и ИИ-ускорителей, где тепло уже стало главным ограничением производительности.
Дополнительно продемонстрирована высокая надёжность: до 10¹² циклов переключения, что значительно превосходит существующие энергонезависимые решения.
Отдельное достижение — возможность управления через фототоки, генерируемые лазером в телеком-диапазоне (около 1550 нм). Это открывает путь к прямой интеграции оптических каналов передачи данных с памятью без промежуточной КМОП-логики.
Если технологию удастся масштабировать, она может лечь в основу нового класса вычислительных систем — энергонезависимых, сверхбыстрых и энергоэффективных. Фактически речь идёт о попытке объединить скорость DRAM и энергонезависимость флеш-памяти — задачи, над которой индустрия работает уже более 20 лет.
#квантоваяпамять #магнитнаяпамять #спинтроника #MRAM #STTMRAM #нанотехнологии #физика #датацентры #искусственныйинтеллект #энергоэффективность #полупроводники #технологиибудущего #инновации #япония #Riken #ТокийскийУниверситет
Fediverse - the social network of the future: Японские исследователи представили принципиально новый тип магнитной памяти, основанный на квантовых эффектах. По их данным, она работает примерно в 25 раз быстрее DRAM, практически не нагревается и почти не подвержена износу.
https://fediverse-decentralize.blogspot.com/2026/05/blog-post.html



.dev