0.7 nanometers: IBM shows the first chips with CFET transistors

IBM shows what future chips could look like. Performance, efficiency, and transistor density increase enormously.

https://www.heise.de/en/news/0-7-nanometers-IBM-shows-the-first-chips-with-CFET-transistors-11346212.html?wt_mc=sm.red.ho.mastodon.mastodon.md_beitraege.md_beitraege&utm_source=mastodon

#IBM #Intel #IT #Nanotechnologie #Prozessoren #Samsung #TSMC #news

0,7 Nanometer: IBM zeigt die ersten Chips mit CFET-Transistoren

IBM zeigt, wie Chips der Zukunft aussehen könnten. Leistung, Effizienz und Transistordichte steigen enorm.

https://www.heise.de/news/0-7-Nanometer-IBM-zeigt-die-ersten-Chips-mit-CFET-Transistoren-11346127.html?wt_mc=sm.red.ho.mastodon.mastodon.md_beitraege.md_beitraege&utm_source=mastodon

#IBM #Intel #IT #Nanotechnologie #Prozessoren #Samsung #TSMC #news

Эволюция вычислительных систем с применением кремниевой фотоники: преодоление межкомпонентного барьера

Развитие полупроводниковой индустрии подошло к критической точке, когда классические методы масштабирования транзисторов практически исчерпали свой потенциал. Внедрение транзисторов с круговым затвором (GAA) и перенос сетей распределения питания на обратную сторону кристалла (BS-PDN) позволили временно снизить токи утечки и минимизировать падение напряжения на нанометровом уровне ( прошлая статья ). Однако эти инновации не способны устранить фундаментальное физическое ограничение современной микроэлектроники — межкомпонентный барьер передачи данных. На внутрикристальные электрические соединения сегодня приходится более 80% всего энергопотребления высокопроизводительных многоядерных процессоров.

https://habr.com/ru/articles/1051976/

#чипы #производство #транзистор #процессоры #intel #tsmc #samsung #оптоволокно #ram #nvidia