And in hurling news, Laois got their arses handed to them by Carlow, today: 4-17 to 1-17.

(Glad I didn't get up at 5:30 am, this morning, to listen to the match.)

#hurling
#GAA

超伝導方式の限界を突き崩すか。既存インフラで量子チップの大量生産に道を開く「GAAトランジスタ転用」の勝機

現代の高度な情報社会を根底で支えているのは、シリコンを中心とした半導体技術の飽くなき微細化の歴史である。数十年におよぶムーアの法則の追求により、現在チップ上に集積されるトランジスタのサイズは数ナノメートルの領域へと突入している。その微細加工技術の最新の集大成が、電流の通り道であるチャネルをゲート電極が四方から完全に包み込む「ゲート・オール・アラウンド(GAA)トランジスタ」である。この立体的な構造により、電流の制御性は極限まで高められ、次世代のスマートフォンや人工知能(AI)処理向けプロセッサの中核を担うとされている。 一方で、従来の古典力学に基づくコンピュータでは計算に天文学的な時間を要する複雑な問題を、瞬時に解き明かす次世代の計算機として量子コンピュータの開発が世界中で苛烈を極めている。その中でも現在もっとも有望視されているアプローチの一つが、身近な素材であるシリコンを利用した「シリコンスピン量子ビット」だ。これは、電子が固有に持つ「スピン」という微小な磁石のような性質を情報の基本単位として用いるものであり、既存の半導体製造ライン(CMOSプロセス)のインフラをそのまま転用して大量生産が行えるという絶大な利点を秘めている。 特殊センサーという足枷:数百万量子ビットへの道はなぜ険しいのか シリコンを基盤とする以上、容易に実用化と量産化が可能であると考えられがちだが、現実の物理デバイスの構築には巨大な障壁が存在していた。それは「量子状態の読み出し」というプロセスに潜む困難さである。 量子ビットが「0」か「1」か、あるいはその両方が重なり合った状態にあるのかを電気的に読み取るためには、極めて微弱な電荷の変化を正確に捉える必要がある。これまで、この読み出しセンサーには、単一電子トランジスタ(SET)や共鳴トンネル素子といった、通常の半導体製品とは根本的に異なる特殊な構造を持つ専用のデバイスを量子ビットのすぐ傍に配置することが必須とされてきた。しかし、これらの特殊なセンサーは製造プロセスが極めて複雑であり、歩留まりの低下と製造コストの暴騰を招く最大の要因となっていた。 さらに致命的なのは、センサー自身の物理的なサイズやそれを制御するための配線の複雑さがボトルネックとなり、量子ビット同士の距離を最適に保つことが難しくなるという空間的な制約である。将来的な実用レベルの量子コンピュータには数百万個単位の量子ビットが必要とされるが、専用の特殊センサーに依存する従来の設計思想では、単一チップ上に量子ビットを高密度で敷き詰める「大規模化」が事実上不可能となっていた。 ここから導き出される科学的および工学的な大きな問いは明白である。特殊で高価な量子センサーを新たに設計・製造するのではなく、すでに人類が手にしており、世界中の工場で大量生産が始まっている最先端のGAAトランジスタをそのまま利用して、極微の量子状態を読み出すことはできないだろうか。 「見えないスピン」を「見える電荷」へ。パウリの排他律が仕掛ける巧妙なトリック 帝京大学理工学部データサイエンス学科の棚本哲史教授と、理化学研究所の大野圭司主任研究員を中心とする研究チームは、この問いに対する明確な解答を提示した。彼らは、GAAトランジスタそのものを量子ビットの状態を読み取る高感度センサーとして活用する新たなアーキテクチャを考案し、大規模なコンピュータシミュレーションを通じてその有効性を理論的に証明した。 この画期的な読み出し機構の根幹には、量子力学の基本原理である「パウリの排他律」が巧妙に組み込まれている。パウリの排他律とは、直感的に言えば「全く同じ量子状態を持つ2つの電子は、同じ空間の座席を共有できない」という自然界の厳格なルールである。 研究チームは、電子を閉じ込める極小の箱である「量子ドット」を2つ隣接して配置し、そこに存在する2つの電子を用いて1つの「論理量子ビット」を定義した。情報の読み出しを行う際、この2つの量子ドットに対して特定の電圧(ゲートバイアス)を印加する。このとき、2つの電子の自転方向であるスピンの向きが互いに逆(反平行、例えば上向き↑と下向き↓)であれば、パウリの排他律に抵触しないため、一方の電子がもう一方の量子ドットへ移動し、2つの電子が1つの箱に同居することが許容される。研究ではこの状態を「0」と定義している。 逆に、スピンの向きが全く同じ(平行、例えば下向き↓と下向き↓)であれば、排他律によって電子は同じ箱に入ることができず、別々の箱に分かれたまま留まることを強いられる。これが「1」の状態である。 この現象の真価は、直接的な観測が極めて困難な「スピンの向き」という磁気的な情報が、電子の配置という「電荷の空間的な分布」の違いへと見事に変換される点にある。そして、この電荷分布の違いから生じる極めて微小な電界の変化を、隣接して配置されたGAAトランジスタが検知する。GAAトランジスタは、電流の通り道を四方からゲート電極が取り囲むというその構造上、外部からの電界の変動に対して異常なほどの高い感受性を持つ。量子ドット内の電子が1箇所に密集しているか(「0」)、それとも分散しているか(「1」)によって、GAAトランジスタのチャネルを流れる電流の量が明確に変化し、その電流差を測定することで量子状態を確定するという洗練されたメカニズムである。 予想外の結果として特筆すべきは、日常のスマートフォンやAIチップのために開発された「古典的な」増幅素子が、ノイズに極めて脆弱な量子状態のセンシング装置として、ほぼそのままの形で直接的に転用可能だったという事実である。通常、量子コンピュータは熱エネルギーによる状態の破壊(デコヒーレンス)を防ぐため絶対零度に近い極低温環境での動作が必須であり、室温での動作を前提とした一般的なトランジスタを物理的に近接させることは困難視されてきた。しかし、GAAトランジスタの微細化が数ナノメートルという極限に達した結果、その電荷に対する感度が、専用に設計された量子センサーの感度領域にまで到達していることが今回の研究で証明されたのだ。 極低温のノイズを退けろ。物理と回路の両面から証明した「数ミリボルトの勝機」 研究チームは、このメカニズムを検証するため、半導体設計で用いられる3次元デバイスシミュレーション(TCAD)と、回路シミュレーション(SPICE)という2つの異なる階層のアプローチを組み合わせた。 TCADを用いた解析では、GAAトランジスタのすぐ側に量子ドットを配置した精緻な3次元立体モデルを構築し、電流と電圧の特性(I-V特性)を計算した。シミュレーションにおいては、製造時のばらつきを考慮し、量子ドットのサイズを2.5ナノメートル、5ナノメートル、10ナノメートルと変動させて検証が行われた。その結果、いずれのサイズにおいても、状態「0」と「1」の間でGAAトランジスタを流れる電流値に明確な差異が生じることが確認された。例えば、2.5ナノメートルという極めて微小な量子ドットであっても、電荷分布のわずかな違いがチャネル中心部の電流密度分布に局所的な変化をもたらし、トランジスタ全体の電流値を左右することが示されている。 さらに、量子ビットからの出力電流は、測定という行為自体が量子状態を破壊してしまう「バックアクション」を防ぐために、1ナノアンペア(nA)未満という極端に微弱な水準に抑える必要がある。SPICEを用いた回路シミュレーションでは、この微小な電流変化を通常の半導体メモリ(SRAM)などで用いられる「センスアンプ回路」に接続し、信号の増幅が可能かを検証した。10ケルビン(約マイナス263度)という極低温環境を想定した動的シミュレーションの結果、ワード線と呼ばれる制御回路の電圧を時間差で緻密にコントロールすることで、量子ビットを破壊することなく、数ミリボルトの微小な電圧差を通常のデジタル信号レベル(0ボルトか電源電圧か)まで引き上げられることが証明された。 数式が語るトランジスタ内部の風景:伝導電子はいかにして情報の仲介役となるか 本研究において、離れた位置にある量子ビット同士がどのように情報をやり取りし、論理的な状態を形成しているかを理解するためには、系の総エネルギーを表す「ハミルトニアン」の数式を紐解く必要がある。量子ドット内に配置された4つのスピンの相互作用は、以下の数式によって記述されている。 \( […]

https://xenospectrum.com/silicon-spin-qubit-gaa-transistor-readout/

Samsung、Galaxy S25で採用予定のExynos 2500は第2世代3nm GAAプロセスで製造され、Snapdragon 8 Gen 4を上回る性能を示す可能性

Samsung独自のExynosチップはしばらく冬の時代を迎えた後、今年発売のGalaxy S24シリーズで搭載された「Exynos 2400」で評判を取り戻した。とは言え、それは前モデルに比べて優れていると言うものであり、Android向けAPでトップを走るQualcommのSnapdragonと比較した場合まだまだ劣勢である事には変わりがない。だが次期Exynos 2500ではこの状況が変わる可能性があるようだ。 3nm […]

https://xenospectrum.com/samsungs-exynos-2500-to-be-used-in-galaxy-s25-will-be-manufactured-on-2nd-generation-3nm-gaa-process-and-may-outperform-snapdragon-8-gen-4/

A cracking Division 1B final has just finished #Clare 2-26 #Dublin 3-20, Clare the winners by 3 points. #GAA #Hurling
With the score at #Kerry 1-07 #Donegal 3-19 with ten minutes left, to play I'm going to stick my neck out and suggest that Kerry are not going to win the Allianz League Division 1 Final. #GAA

Samsung’s 2nm GAA efficiency disappoints as Exynos 2600 consumes 40% more power than Snapdragon 8 Elite Gen 5 at its peak - Gizmochina

Exynos 2600 efficiency and performance benchmarks show a significant power draw disadvantage against the Snapdragon 8 Elite chipsets.

Samsung’s 2nm GAA efficiency disappoints as Exynos 2600 consumes 40% more power than Snapdragon 8 Elite Gen 5 at its peak - Gizmochina

Exynos 2600 efficiency and performance benchmarks show a significant power draw disadvantage against the Snapdragon 8 Elite chipsets.

Gizmochina

The old special pleading from the usual suspects again, I've been holding off for years on lodging a noise complaint against Fingallians for how fucking loud their tannoy is, I might well go through with it this year, would serve them right. Arseholes.

https://www.thejournal.ie/swords-gaa-club-says-it-is-set-to-lose-half-of-its-playing-space-due-to-the-metrolink-6997569-Mar2026/

#IEpol #Mastodaoine #Metrolink #GAA #Fingallians #Fingal #Dublin

Swords GAA club says it is set to lose half of its playing space due to the Metrolink

A local councillor said Transport Minister Darragh O’Brien has committed to meeting with the Fingallians GAA club in Swords over the issue.

TheJournal.ie
#gaa that Red is gonna cost Dublin this game....
#gaa what was Ger Brennan thinking at half time!? DubsVGal