Forscher der University of Cambridge haben neuartige Memristoren aus Hafniumoxid entwickelt.

Durch asymmetrische p-n-Heterointerfaces modulieren die neuromorphen Bauteile ihre Leitfähigkeit auf extrem niedrigem Energieniveau. Sie verarbeiten Informationen direkt am Speicherort, was den Energiebedarf um bis zu 70 Prozent senken kann.

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